Назначение

Создание полупроводниковых приборов различного назначения, а также преобразователей солнечной энергии (солнечные батареи) на основе формирования из дисилана тонких полупроводниковых слоев.

Описание разработки

Разработана оригинальная технология получения дисилана с использованием доступного отечественного сырья: тетраэтоксисилана, тетрахлорида кремния и диизобутилалюминийгидрида. Утилизация побочного продукта - диизобутилалюминийэтоксида - позволяет получить ряд полезных продуктов: связующие в цветном литье, сорбенты, наполнители хроматографических колонок и т.д.).